半導体・電子部品向けポリイミド材料

50年以上の実績

東レは1970年にポリイミドをベースとした耐熱絶縁ワニストレニースTMを上市しました。その後1979年に上市した非感光性ポリイミドワニスセミコファインTMは、信頼性の高さから半導体素子の保護膜・絶縁膜用途に長年ご使用いただいております。
さらに私たちは東レのコア技術である有機合成化学、高分子化学、ナノテクノロジーをベースに高機能化の研究開発を進め、感光性ポリイミドワニス フォトニースTM、ポリイミドBステージフィルム ファルダTMといった製品ラインナップを拡充し、半導体・電子部品の小型化や信頼性向上に貢献してきました。

革新的な材料開発

私たちはコア技術に感光材料設計技術や薄膜形成技術などの要素技術を掛け合せることで、社会ニーズに沿った先進的な材料・技術の研究開発を続けています。
REACH規制の制限物質の1つであるNMP(N-メチル-2-ピロリドン)を使用しない製品など、より安全で環境負荷の低い材料・プロセスの提案を通じて半導体・電子部品産業の発展に貢献します。

主な用途

  • 半導体パッケージ(再配線層(RDL))
    ※低温キュア ポリイミド材料
  • 半導体メモリ、LSIロジック(バッファーコーティング)
  • パワー半導体(バッファーコーティング)
  • 電子部品(絶縁層)
  • MEMS(中空構造材)
  • RFデバイス(中空構造材)
  • マイクロLED(再配線層(RDL))

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